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File:16 GiB-DDR4-RAM-Riegel RAM019FIX Small Crop 90 PCNT.png

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原始檔案 (23,294 × 5,661 像素,檔案大小:537.07 MB,MIME 類型:image/png


摘要

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描述
Deutsch: Ein DDR4-SDRAM-Riegel von Samsung mit 16 GiB Speicher bei 2666 MHz. Es handelt sich um das Model "M378A2K43CB1-CTD".
English: A DDR4 SDRAM bar from Samsung with 16 GiB of memory at 2666 MHz. It is the model "M378A2K43CB1-CTD".
日期
來源 自己的作品
作者 PantheraLeo1359531

Specifications:

  • Module Size: 16 Gibibytes (ca. 17,2 Gigabytes)
  • Memory Type: DDR4 SDRAM
  • Moduly Type: Unbuffered DIMM (UDIMM)
  • Memory Speed: 1333.3 MHz (DDR4-2666 / PC4-21300)
  • Manufacturer: Samsung
  • Module Part Number: M378A2K43CB1-CTD
  • Module Revision: No (0.0)
  • Module Serial Number: 1701500217 (39D56A65)
  • Module Manufacturing Date: Year 2018, Week 26
  • Error Check/Correction: No
  • Address Bits: 16
  • Column Address Bits: 10
  • Module Density: 8192 Mb
  • Number of Ranks: 2
  • Device Width: 8 bits
  • Bus width: 64 bits
  • Die Count: 1
  • Module Nominal Voltage (VDD): 1.2 V
  • Minimum SDRAM Cycle Time (tCKAVGmin): 0.75000 ns
  • Maximum SDRAM Cycle Time (tCKAVGmax): 1.60000 ns
  • CAS# Latencies Supported: 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20
  • Minimum CAS# Latency Time (tAAmin): 13.750 ns
  • Minimum RAS# to CAS# Delay (tRCDmin): 13.750 ns
  • Minimum Row Precharge Time (tRPmin): 13.750 ns
  • Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 32.000 ns
  • Supported Module Timing at 1333.3 MHz: 19-19-19-43
  • Supported Module Timing at 1200.0 MHz: 17-17-17-39
  • Supported Module Timing at 1066.7 MHz: 15-15-15-35
  • Supported Module Timing at 933.3 MHz: 13-13-13-30
  • Supported Module Timing at 800.0 MHz: 11-11-11-26
  • Supported Module Timing at 666.7 MHz: 10-10-10-22
  • Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 45.750 ns
  • Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC1min): 350.000 ns
  • Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC2min): 260.000 ns
  • Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC4min): 160.000 ns
  • Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 21.000 ns
  • Minimum Active to Active Delay Time - Different Bank Group (tRRD_Smin): 3.000 ns
  • Minimum Active to Active Delay Time - Same Bank Group (tRRD_Lmin): 4.900 ns
  • Minimum CAS to CAS Delay Time - Same Bank Group (tCCD_Lmin): 5.000 ns
  • Module Temperature Sensor (TSOD): Not Supported
  • Module Nominal Height: 31 - 32 mm
  • Module Maximum Thickness (Front): 1 - 2 mm
  • Module Maximum Thickness (Back): 1 - 2 mm
  • Address Mapping from Edge Connector to DRAM: Mirrored

授權條款

我,本作品的著作權持有者,決定用以下授權條款發佈本作品:
w:zh:創用CC
姓名標示
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memory yenye utofautishani wa juu

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DDR4 SDRAM 中文 (已轉換拼寫)

檔案來源 Chinese (Taiwan) (已轉換拼寫)

9fabd4a8ba6c6a1b06b11dd5cb8fb9fbdf2f1d21

斷定方法:​SHA-1 中文 (已轉換拼寫)

563,156,568 位元組

5,661 像素

23,294 像素

檔案歷史

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目前2021年7月25日 (日) 13:54於 2021年7月25日 (日) 13:54 版本的縮圖23,294 × 5,661(537.07 MB)PantheraLeo1359531Uploaded own work with UploadWizard

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